Solution thermique contre la dégradation des modules électroniques
Le module 2MBI800VT-170E apporte une réponse directe aux problématiques de dissipation thermique rencontrées dans les baies de puissance closes. Sa semelle en cuivre épais dissipe instantanément les calories générées par les puces de silicium vers l'extérieur. Cette excellente conductivité évite l'accumulation de chaleur aux points de contact internes, éliminant ainsi la cause principale de défaillance thermique des transistors de puissance traditionnels. Les équipes de maintenance sécurisent ainsi le fonctionnement de leurs installations sans devoir surdimensionner les ventilateurs d'extraction.
Réduction du stress mécanique lié aux variations de température
Grâce à des coefficients d'expansion thermique ajustés entre les différentes couches de composants, le module résiste aux contraintes de dilatation générées par les démarrages et arrêts fréquents. Cette endurance face au cyclage thermique prolonge la durée de vie utile de la section de puissance, réduisant les interventions de remplacement sur site. Les coûts liés à l'achat de pièces de rechange et aux arrêts de production s'en trouvent fortement diminués.
Tableau des paramètres de dissipation et d'isolation
| Paramètre de structure | Valeur limite | Propriété associée |
|---|---|---|
| Dissipation de puissance totale (Pc) | 5370 W | Par transistor individuel |
| Tension d'isolement (Viso) | 4000 VAC | Entre bornes et base en cuivre |
| Matériau de la plaque de base | Cuivre | Conductivité thermique supérieure |
| Configuration interne | 2 en 1 | Pont en demi-hacheur |
